半導(dǎo)體清洗設(shè)備,國產(chǎn)設(shè)備步入高速成長期
導(dǎo)讀
目前,隨著半導(dǎo)體芯片工藝技術(shù)的發(fā)展,工藝技術(shù)節(jié)點進入 28 納米、14 納米等更先進等級,隨著工藝流程的延長且越趨復(fù)雜,每個晶片在整個制造過程中需要甚至超過 200 道清洗步驟,晶圓清洗變得更加復(fù)雜、重要及富有挑戰(zhàn)性;清洗設(shè)備及工藝也必須推陳出新,使用新的物理和化學(xué)原理,在滿足使用者的工藝需求條件下,兼顧降低晶...
目前,隨著半導(dǎo)體芯片工藝技術(shù)的發(fā)展,工藝技術(shù)節(jié)點進入 28 納米、14 納米等更先進等級,隨著工藝流程的延長且越趨復(fù)雜,每個晶片在整個制造過程中需要甚至超過 200 道清洗步驟,晶圓清洗變得更加復(fù)雜、重要及富有挑戰(zhàn)性;清洗設(shè)備及工藝也必須推陳出新,使用新的物理和化學(xué)原理,在滿足使用者的工藝需求條件下,兼顧降低晶圓清洗成本和環(huán)境保護。
國產(chǎn)濕法工藝設(shè)備所部署的技術(shù)路線:
半導(dǎo)體清洗設(shè)備,國產(chǎn)設(shè)備步入高速成長期
槽式設(shè)備(槽數(shù)量按需配置)及單片機設(shè)備(8~12 反應(yīng)腔)均可以提供 8~12 寸晶圓制造的濕法工藝設(shè)備。該類設(shè)備可以應(yīng)用在先進工藝上,主要為存儲(DRAM,3D Flash)、先進邏輯產(chǎn)品以及一些特殊工藝上,例如薄片工藝、化合物半導(dǎo)體、金屬剝離制程等。
在技術(shù)儲備上,國產(chǎn)品牌將持續(xù)投入資源開發(fā)符合高階工藝應(yīng)用的設(shè)備(如多反應(yīng)腔、18 腔等)。
國產(chǎn)品牌的濕法工藝設(shè)備的子系統(tǒng)包含藥液循環(huán)系統(tǒng)、溫控系統(tǒng)、傳送系統(tǒng)、自動控制系統(tǒng)、通信系統(tǒng)、傳感控制系統(tǒng)、氣體流場設(shè)計、反應(yīng)藥液回收環(huán)設(shè)計等。
此外,泛半導(dǎo)體工藝伴隨許多種特殊制程,會使用到大量超高純(ppt 級別)的干濕化學(xué)品,這是完成工藝成果的重要介質(zhì),其特點是昂貴并伴隨排放。
在集成電路領(lǐng)域,高純工藝系統(tǒng)主要包括高純特氣系統(tǒng)、大宗氣體系統(tǒng)、高純化學(xué)品系統(tǒng)、研磨液供應(yīng)及回收系統(tǒng)、前驅(qū)體工藝介質(zhì)系統(tǒng)等。
其中,各類高純氣體系統(tǒng)主要服務(wù)于幾大干法工藝設(shè)備,各類高純化學(xué)品主要服務(wù)于濕法工藝設(shè)備。
國產(chǎn)品牌在濕法工藝往深度走的同時,在減排和工藝數(shù)字化領(lǐng)域也投入研發(fā),有具體的產(chǎn)品和服務(wù)的部署,該領(lǐng)域的投入兼具經(jīng)濟效益和社會效益。高純工藝系統(tǒng)的核心是系統(tǒng)設(shè)計,系統(tǒng)由專用設(shè)備、偵測傳感系統(tǒng)、自控及軟件系統(tǒng)、管閥件等組成;系統(tǒng)的前端連接高純介質(zhì)儲存裝置,系統(tǒng)的終端連接客戶自購的工藝生產(chǎn)設(shè)備。
半導(dǎo)體是許多工業(yè)整機設(shè)備的核心,普遍應(yīng)用于計算機、消費類電子、網(wǎng)絡(luò)通信、汽車電子等核心領(lǐng)域,半導(dǎo)體主要由四個部分組成:集成電路、光電器件、分立器件和傳感器,其中集成電路在總銷售額占比高達80%以上,是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的核心領(lǐng)域。其中通常以芯片設(shè)計、制造和封裝測試為集成電路產(chǎn)業(yè)鏈三大環(huán)節(jié),設(shè)備材料與制造和封裝測試聯(lián)系最為緊密,對應(yīng)分為前道設(shè)備和后道設(shè)備,晶圓材料和封裝材料。
隨著國家扶持力度的不斷加大,制造企業(yè)與國產(chǎn)設(shè)備廠商的合作意愿較強,國產(chǎn)化進度明顯加快,市占率不斷提升,有望成為未來的優(yōu)質(zhì)賽道。
半導(dǎo)體設(shè)備資本投入大,人才缺乏,行業(yè)壁壘較高,能獲得優(yōu)勢資源的各細分領(lǐng)域的龍頭企業(yè),國產(chǎn)替代的速度預(yù)計將高于靠后企業(yè)。